主要内容：

　　1、成电路制造技术和工艺流程：双极型工艺（典型TTL？IC制造流程）；MOS工艺（典型单阱硅栅CMOS工艺流程和方法）；双极型IC和CMOSIC的比较。

　　2、MOSFET结构、特性、参数、模型。

　　3、集成电路基本器件结构：二极管、双极晶体管、MOSFET、隔离、电阻、电容、电感、通孔、接触孔和连线等；集成电路寄生效应；

　　4、版图设计规则及其表达方法；

　　5、六管单元TTL与非门集成电路分析与版图设计；

　　6、CMOS基本逻辑门电路（反相器、与反门、或非门、与或非门、异或门、半加器、全加器、传输门、RS触发器、JK触发器、D触发器）

　　7、微处理器及其算术逻辑单元电路原理；

　　8、寄存器和存储器类集成电路

　　各种移位寄存器，SRAM、DRAM，Mask－ROM，EPROM，EEPROM，FlashRAM的单元结构及其特点；存储器的典型系统结构（存储矩阵、译码电路、读写控制）

　　9、模拟集成电路中的基本单元：差动放大单元、电流镜、恒流源、能隙基准源；

　　10、电压比较器和运算放大器，D/A和A/D转换器；

　　11、数字集成电路正向设计的典型设计流程。